磨料對(duì)拋光效果的影響
在CMP拋光過程中磨料的作用是借助機(jī)械力，通過化學(xué)反應(yīng)去除工件或晶圓表面形成的鈍化膜，從而達(dá)到表面平坦化的目的。CMP化學(xué)機(jī)械拋光液常用的磨料有硅溶膠SiO2、氧化鋁Al2O3、氧化鈰CeO2、金剛石等。
磨料的種類
磨料的種類和材質(zhì)決定了化學(xué)機(jī)械拋光液中微粒的硬度和粒徑，從而影響拋光效果。拋光鋁合金工件實(shí)驗(yàn)中相對(duì)于氧化鋁拋光液Al2O3磨料，氧化硅拋光液SiO2磨料能獲得較好的表面平整度、更少的表面劃痕和更小的尺寸。原因是硅溶膠拋光液SiO2磨粒尺寸較小，拋光時(shí)磨料嵌入晶圓表面的深度較小。此外，通過優(yōu)化其它參數(shù)，可以獲得較高的拋光效率。
磨料的濃度
CMP集成電路拋光液磨料濃度會(huì)影響拋光效果。拋光鋁合金實(shí)驗(yàn)中，隨著磨料SiO2濃度的增加，單位面積的磨粒數(shù)增加，因此拋光效率提高，表面劃痕尺寸增加緩慢或基本不變。但當(dāng)磨料濃度過高時(shí)，拋光液粘度增大，流動(dòng)性降低，影響已加工表面氧化層的**形成，導(dǎo)致拋光效率降低。
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